一种PERC太阳能单晶电池碱抛正面保护工艺.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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一种PERC太阳能单晶电池碱抛正面保护工艺.pdf

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本发明提供一种PERC太阳能单晶电池碱抛正面保护工艺，包括如下步骤：S1、前清洗：对单晶硅片清洗；S2、表面改性：在表面改性槽内配制表面改性剂，将清洗后的单晶硅片浸入表面改性剂中进行表面改性；S3、碱抛：对表面改性后的单晶硅片碱抛；S4、后清洗：对碱抛后的单晶硅片清洗；S5、酸洗：对单晶硅片酸洗；S6、烘干：烘干酸洗后的单晶硅片。本发明首先利用表面改性剂对正面磷硅玻璃进行表面改性，且表面改性剂所用烷基化试剂不影响背面硅表面结构，烷基化试剂在磷硅玻璃表面水解，取代表面硅羟基，形成密集的强疏水基团，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664977 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210347008.X (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人江苏捷捷半导体新材料有限公司地址