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本发明公开了一种半导体陶瓷材料制备方法,原材料包括钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、石墨烯材料、氧化钇粉、二氧化锆、防老剂和聚烯烃,钛酸钡、三氧化二钒、三氧化二铬、碳化硼粉、氧化钇粉、石墨烯材料、二氧化锆的比例为:70:10:2:10:2:3:3;本发明一种半导体陶瓷材料制备方法通过碳化硼粉进行保证高温稳定性,保证半导体材料的使用,通过三氧化二钒和三氧化二铬进行保证温度的检测,保证检测速度,通过石墨烯材料进行导热,保证温度的快速检测,通过聚烯烃进行保护半导体材料,防止出现摔坏的情况,通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114685162 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011615200.X
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 陕西理工大学
地址 723000
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