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本发明涉及一种晶圆级封装结构及制造方法,包括:提供具有第一焊垫的电转接板,电转接板内形成互连结构,第一焊垫与互连结构电连接;提供至少一个芯片,芯片表面上具有第二焊垫;电转接板通过键合层与芯片键合连接,使第一焊垫和第二焊垫相对,且第一焊垫与第二焊垫之间形成空隙;采用电镀工艺在空隙中形成导电体,第一焊垫与第二焊垫之间通过导电体电连接。本发明通过键合层将不同的芯片与电转接板进行物理连接并通过电镀工艺在芯片与电转接板之间形成导电体,能够提高芯片的成品率以及降低工艺难度及生产成本,简化电连接的工艺流程并提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695140 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011603924.2
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 中芯集成电路(宁波)有限公司
地址
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