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本申请提供了一种半导体器件。半导体器件包括:衬底,具有第一导电类型;浅沟槽隔离结构,设置于所述衬底中且呈第一环形结构,所述衬底被所述浅沟槽隔离结构环绕的区域为有源区;漏极掺杂区,具有第二导电类型,设置于所述有源区的中心区域的上表面;源极掺杂区,具有第二导电类型,设置于所述漏极掺杂区的两侧的所述有源区的上表面,且与所述漏极掺杂区间隔设置;场氧化层,设置于所述有源区内的所述衬底的上表面且呈第二环形结构,并环绕所述漏极掺杂区;栅极多晶,设置于所述衬底的上表面且呈第三环形结构,并环绕所述场氧化层;漂移区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695551 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011624301.3
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 无锡华润上华科技有限公司
地址 2
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