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本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种鳍片蚀刻均匀化且可改善鳍蚀刻负载的FinFET结构形成方法,包括S1:在硅衬底上进行阱区离子注入;S2:在硅衬底上依次外延生长形成阻挡层和Si外延层;S3:在Si外延层上形成硬掩模层;S4:以硬掩模层为掩模在Si外延层上进行鳍蚀刻,形成多个鳍片,相邻鳍片之间具有鳍凹槽,鳍蚀刻至阻挡层的表面后减缓蚀刻速率或停止蚀刻;S5:在鳍蚀刻后裸露的阻挡层以及鳍凹槽上形成填充层。本发明还公开了一种由上述形成方法获得的FinFET结构。上述FinFET结构及其形成方法通过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695550 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011611697.8
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 广州集成电路技术研究院有限公司
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