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本发明公开了一种半导体结构及半导体结构的形成方法,旨在解决现有工艺形成的介电薄膜,已经不能满足现阶段的半导体结构对性能和速度的要求的技术问题。所述半导体结构包括:金属结构;以及设置在所述金属结构之间的介电薄膜,其中,所述介电薄膜包括:择优取向层及设置于所述择优取向层之上的无定型非结晶层,所述择优取向层为晶体定向的膜层,所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。该结构的介电薄膜,由于下层择优取向层的存在,使得诱电率得以降低,从而有效降低了择优取向层和无定型非结晶层的介电常数,从而使得整个介电薄膜的介电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695313 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011558638.9
(22)申请日 2020.12.25
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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