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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括:半导体衬底;位于半导体衬底上的电容,电容包括下电极和上电极,以及隔离下电极和上电极的电容介质层;覆盖上电极的上表面和侧壁的第二介质层;上电极的侧壁呈斜坡状。制备方法:半导体衬底包括存储区和外围区;在外围区上形成晶体管以及其上的第一介质层;在存储区上形成电容,电容包括下电极、电容介质层和上电极,其中上电极延伸到第一介质层上;在上电极上形成光刻胶图案,光刻胶图案的边界位于第一介质层上,对上电极进行离子注入;对上电极进行刻蚀。本发明提供的半导体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695356 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011606826.4
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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