栅极及MOSFET的制造方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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栅极及MOSFET的制造方法.pdf

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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种栅极及半导体装置的制造方法，提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅介质层；在所述半导体衬底上依次形成未掺杂的第一多晶硅层、碳掺杂的第二多晶硅层；使用氮化物对所述第二多晶硅层的表面进行等离子体处理；对所述第二多晶硅层进行P型离子注入；对所述第二多晶硅层、第一多晶硅层和栅介质层进行刻蚀以形成栅堆叠。本实施例使用NH3气体对碳掺杂的栅极多晶硅层的表面进行原位掺杂，形成氮化物保护层，避免BF3中的F对栅极多晶硅层造成的凹陷，提高了器件的良率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678269 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011552287.0 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人中国科学院微电子研