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本发明提出了一种FinFET基础结构及其制造方法;FinFET基础结构包括基体;还包括插设在基体上的填充件(520);填充件(520)底部的侧壁上凸出形成有凸起部(521);该凸起部(521)突出于基体顶面上;FinFET基础结构还包括覆盖在基体以及填充件(520)侧壁的位于基体上方的部分上的金属栅极。本发明的FinFET基础结构及其制造方法设计新颖,实用性强。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695116 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011595728.5
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 广州集成电路技术研究院有限公司
地址
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