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本发明涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。其中,半导体结构,包括:衬底;第一晶体管,包括位于衬底内的第一沟道区域;第二晶体管,包括位于衬底内的第二沟道区域,第二沟道区域的面积与第一沟道区域的面积不同,且第一晶体管和第二晶体管具有公共源极或公共漏极;存储单元,与公共源极或公共漏极相连。本申请的半导体结构中第二晶体管的第二沟道区域的面积与第一晶体管的第一沟道区域的面积不同,可以适应读取与写入的不同要求,提高了数据读写的成功率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695355 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011598015.4 H01L 27/24 (2006.01)
(22)申请日 2020.12.
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