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一种半导体结构的形成方法,包括:在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏层;在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙,所述第一侧墙还位于部分所述源漏层侧壁和顶部表面;在所述第一区上的所述源漏层表面形成第一保护层,以及位于所述第一保护层上的掩膜层,所述第一保护层内具有第一掺杂离子,以使所述第一掺杂离子掺入到所述第一区上的所述源漏层顶部表面;以所述掩膜层为掩膜,向所述第二区上的所述源漏层顶部表面注入第二掺杂离子。所述第一侧墙可以避免所述第一掺杂离子或第二掺杂离子由所述栅极结构和所述源漏层之间结合不紧密处进入到沟
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695552 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011625169.8
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 中芯国际集成电路新技术研发(上
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