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本发明提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池,涉及太阳能光伏技术领域。其中,在硅块体的表层下方设置缺陷层,此时,可以对表层进行加热,使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力,缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度,相比于未施加热膨胀应力时,表层与硅块体更易于从缺陷层的位置分离,从而降低了对缺陷层缺陷密度的要求,提高了缺陷层的设置速率以及表层的晶体质量;同时向表层施加的热膨胀应力,也可以在剥离表层的过程中降低对表层的边缘施加应力的要求,从而避免造成超薄硅片的损伤,提升切片得到的超薄硅片的质量,因
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695233 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011603161.1
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 隆基绿能科技股份有限公司
地址 7
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