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本发明涉及一种多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统,所述方法包括:获取多晶硅的多份不同宽度样品;将样品的温度调整至预设温度,测试预设温度下各份样品的电阻值;预设温度是多晶硅的预期应用温度上限值与多晶硅的焦耳热上限值之和;将样品的温度调整为预期应用温度上限值,并对样品分别施加电流,获取样品达到各自的电阻值时分别对应的电流值;将各电流值作为最大均方根电流密度,代入最大均方根电流密度模型中,计算最大均方根电流密度模型的经验参数;将多晶硅的宽度代入最大均方根电流密度模型中,计算出最大均方根电流密度,作为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114740320 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202011536078.7
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 无锡华润上华科技有限公司
地址 2
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