半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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半导体器件及其制作方法.pdf

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一种制作半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层堆叠。第一半导体层堆叠包括第一半导体条带与第二半导体条带的交替堆叠。第一半导体条带及第二半导体条带分别包括第一半导体材料及第二半导体材料。所述方法还包括移除第一半导体条带，以在第一半导体层堆叠中的第二半导体条带之间形成空隙。所述方法还包括在所述空隙中沉积介电结构层及第一导电填充材料以环绕第二半导体条带。此外，所述方法包括：移除第二半导体条带以形成第二组空隙；以及在所述第二组空隙中沉积第三半导体材料。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725113 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210080636.6 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2022.01.