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一种形成具有铜顶板和铜底板的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法可以开始于铜互连层(例如,CuMTOP),该铜互连层包括限定该电容器底板的铜结构。在该底板上形成钝化区,并且在钝化区中蚀刻宽顶板开口,以使该底板暴露。将介电层沉积到该顶板开口中并沉积到该暴露的底板上。然后在该钝化区中蚀刻窄通孔开口。该宽顶板开口和窄通孔开口被铜同时填充以限定铜顶板和与该底板接触的铜通孔。第一铝键合焊盘形成在该铜顶板上,并且第二铝键合焊盘形成为与该铜通孔接触以提供与该底板的导电联接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114730837 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202080078834.8 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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