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一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法.pdfVIP

一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法.pdf

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    本发明属于InGaN纳米棒制备技术领域，提供了一种在硅衬底上制备纤锌矿InGaN纳米棒的方法。先对硅衬底表面用氨气进行氨化处理，处理后的硅表面形成Si‑N键，饱和硅表面的Si悬挂键；将GaCl3和InCl3以N2输送入放置有硅衬底的反应室内，加热GaCl3和InCl3，气相中的GaCl3和InCl3在受热分解及氢还原作用下在衬底表面形成Ga、In液滴，液滴聚积形核，最后与气相中NH3反应生成纤锌矿InGaN。拓展了GaN基材料在光电器件、光伏电池及碳中和等领域的应用，可调控In组分的InGaN带

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114717535 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210275260.4 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 太原理工大学

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