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描述用于低阻抗交叉点架构的方法、系统及装置。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料,之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路,其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114730836 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202080078630.4 D ·魏曼
(22)申请日 2020.10.27
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