半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种具有多个临界电压的半导体元件以及具有所述临界电压的该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一第一栅极结构，位在该基底中并具有一第一深度以及一第一临界电压；以及一第二栅极结构，位在该基底中并具有一第二深度以及一第二临界电压。该第一深度大于该第二深度，以及该第一临界电压不同于该第二临界电压。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114744040 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202111106345.1 (22)申请日 2021.09.22 (30)优先权数据 17/143,663 2021