一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法。该含芴有机硅低介电材料含有双酚芴类结构单元、聚硅氧烷结构单元。将双酚芴类分子引入氨烃基聚硅氧烷制得了含芴有机硅低介电材料，降低了聚硅氧烷基体材料的介电常数，保持了聚硅氧烷材料的本征性能，如优异的疏水性能、耐高温性能。该含芴有机硅低介电材料的介电常数在2.10～2.50范围内，有望应用于5G技术领域及柔性微纳米器件和集成电路中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114716681 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210219323.4 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人山东大学地址 250199 山