一种气密性芯片结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种气密性芯片结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种气密性芯片结构及其制备方法。方法包括：在设有至少一个第一线路区的顶部TSV芯片上，分别电镀上至少一个第一铜环以及至少一个第一铜柱；在设有至少一个第二线路区的底部芯片上，分别电镀上至少一个第二铜环和至少一个第二铜柱；将电镀后的顶部TSV芯片倒装于电镀后的底部芯片上，形成倒装芯片；在倒装芯片的顶部进行植球，形成气密性芯片结构。本发明基于中道工艺和bumping工艺来形成含有内置铜环的空腔结构，该内置铜环的空腔结构可实现芯片间3D垂直互联，满足高气密性要求，实现了高气密性的芯片封装，封装

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725011 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210272027.0 (22)申请日 2022.03.18 (71)申请人南京睿芯峰电子科技