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本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法,包括:衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极;异质外延缓冲层的材料为β‑Ga2O3;异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层;异质外延缓冲层内设有外延沟道层;外延沟道层的材料为掺杂的β‑Ga2O3;外延沟道层上开设有沟槽;外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层;第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层,第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层;异质外延缓冲层上设有钝化层;栅电极的两侧分别设有源电极;述源电极下
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725220 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210143112.7 H01L 29/06 (2006.01)
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