一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列.pdf

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本发明提供了一种具有隔离沟槽结构的螺旋环电极像素硅探测器阵列，包括半导体基体，半导体基体中各探测器单元顶部嵌入有螺旋环电极和中心电极，螺旋环电极和中心电极连接构成阴极，中心电极位于螺旋环电极的正中间位置；中心电极上设有第一铝电极接触层；所述螺旋环电极上设有第二铝电极接触层；半导体基体顶部除第一铝电极接触层和第二铝电极接触层外填充有二氧化硅绝缘层；半导体基体的底部嵌入有阳极层，阳极层下方覆盖有第三铝电极接触层；隔离沟槽与二氧化硅绝缘层连接。解决了现有技术中存在的硅像素探测器电容大、像素单元之间存在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725146 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210500630.X (22)申请日 2022.05.09 (71)申请人烟台新旧动能转换研究院暨烟台科