异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法，该方法包括：在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层；在发射层上外延形成p型惨杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的集电层。在HBT器件的实际应用中，由于采用GaN系材料作为集电层，可以使用较高的工作电压，从而有利于增加该HBT器件的输出功率，克服GaAsHBT器件的功率限制，以及更好地满足5G通信高频与高功率的需求。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725191 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210300216.4 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人深圳市汇芯通信技术