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一种半导体装置,该半导体装置具有:基于半导体‑二氧化硅‑氮化硅‑二氧化硅‑半导体(SONOS)的非易失性存储器(NVM)阵列,所述非易失性存储器(NVM)阵列包括以行和列布置的NVM单元,其中NVM单元的NVM晶体管被配置成存储对应于NVM晶体管的漏极电流(ID)或阈值电压(VT)水平的Nx个水平的Nx个模拟值;数模(DAC)功能,其接收并转换来自外部装置的数字信号;列多路复用器(mux)功能,其被配置成选择并组合从NVM单元读取的模拟值;以及模数(ADC)功能,其被配置成将列多路复用器功能的模
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114730603 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202080082178.9 维尼特 ·阿格拉瓦尔 隆 ·欣
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