基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路.pdf

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本申请提供了一种芯片、氮化镓功率器件和电源驱动电路，其中，该芯片包括：衬底、设置于衬底上的多个氮化镓组件，多个氮化镓组件阵列排列；氮化镓组件包括分别设置于衬底上的有源区和非有源区，非有源区包围有源区的侧表面，有源区包括氮化镓层和氮化铝镓层形成的异质结，非有源区包括间隔设置的多个凹槽，该多个凹槽均贯穿非有源区并显露衬底，多个凹槽用于与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730803 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080076794.3 (74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限