用于半导体设备的吸附室壁.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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用于半导体设备的吸附室壁.pdf

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限定在等离子体处理室中的吸附结构包括具有一个或多个加热元件以加热吸附结构的内层、具有冷却剂流输送网络的中间部分，冷却剂通过该冷却剂流输送网络循环以将吸附结构冷却到允许选择性吸附在处理室中释放的副产物的温度、以及连接到真空管线的真空流网络以产生低压真空并去除从吸附结构释放的副产物。晶格结构限定在中间部分上，晶格结构包括限定在多个层中的开口网络以增加表面积以提高副产物吸附。内部部分邻近中间部分设置。晶格结构的外层面向室的内部区域。晶格结构的层中的开口的尺寸从内层到外层逐渐增大，使得外层为吸附副产物提

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730686 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080077135.1 (74)专利代理机构上海胜康律师事务所 31263