三维存储器及其制备方法、存储系统.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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三维存储器及其制备方法、存储系统.pdf

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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统。制备三维存储器的方法包括：在衬底的第一表面形成第一电介质层，以及形成贯穿所述第一电介质层并延伸至所述衬底的初始导电柱；去除所述衬底的与所述初始导电柱对应的部分，形成至少暴露部分所述初始导电柱的凹槽；去除所述初始导电柱的第一部分形成导电柱，其中，所述第一部分包括所述初始导电柱的位于所述凹槽内的部分；以及在去除所述第一部分形成的空隙和所述凹槽共同构成的空间内依次形成隔离层和与所述导电柱连接的贯穿硅触点。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725012 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210349608.X H01L 27/11578 (2017.01)