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本发明提供了一种GaNHEMT与SBD器件结构、制备方法及环形振荡器，GaNHEMT与SBD器件结构包括衬底层；成核层；形成于成核层的背离衬底层侧且依次间隔设置的D－modeHEMT、E－modeHEMT以及SBD；其中，D－modeHEMT、E－modeHEMT以及SBD均包括依次叠置于成核层的背离衬底层侧的n型GaN基层、n型GaN沟道层、Al0.23Ga0.67N层、Si3N4场板层、Al2O3保护层以及类金刚石薄膜层；D－modeHEMT和E－modeHEMT均还包括连接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725089 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210235036.2 H03K 3/03 (2006.01)
(22)申请日 2022.0
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