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本发明公开一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、第一介电层、栅极结构、第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔，在衬底上形成多个间隔的有源区，第一介电层设于衬底上，且填充于相邻两个有源区之间，栅极结构形成在多个有源区的上方，第二介电层形成于第一介电层上方，底金属层结构形成于第二介电层内，且电连接有源区和/或栅极结构，金属层结构形成于第二介电层内，且处于底金属层结构上方，导电通孔形成于第二介电层内，且处于底金属层结构以及金属层结构之间，用以电导通底金属层结构与金属层结构，实现了金
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725061 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110015412.2
(22)申请日 2021.01.06
(71)申请人 广州集成电路技术研究院有限公司
地址
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