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2023-05-15 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，提供衬底，所述衬底包括Core区和IO区；刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底，以使所述IO区和所述Core区的衬底表面具有高度差；在所述IO区和所述Core区的衬底上形成第一氧化层；刻蚀去除所述Core区的衬底上的第一氧化层；以及，采用化学清洗工艺在所述Core区的衬底上形成第二氧化层，且所述IO区上的第一氧化层和所述Core区上的第二氧化层的表面齐平，且所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本发明能够避免因高低差导致的膜层变形和缺陷，从而提升器件的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115831868 A (43)申请公布日 2023.03.21 (21)申请号 202310015417.4 (22)申请日 2023.01.06 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址

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