用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器.pdf

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描述了用于实现与互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器像(CIS)素集成的方形栅极源极跟随器(SGSF)晶体管的技术。SGSF晶体管可以具有带有源区域的有源层，其包括与两个源区域中的每个源区域分离以形成平行电流沟道的漏极区域。方形栅极结构层包括主栅极区域和侧栅极区域，每个主栅极区域都设置在相应的一个电流沟道上方，而侧栅极区域耦合到主栅极区域。在特定的物理宽度(W)和电流沟道长度(L)的情况下，平行电流沟道可以类似于尺寸为2W和相同的L的传统线性源极跟随器发挥作用。与可比尺寸为W和L的传统源极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725139 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202111596648.6 (22)申请日 2021.12.24 (30)优先权数据 17/141,141 2021