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2023-05-15 发布于北京
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本发明提供一种成膜方法，当通过靶的溅射形成电介质膜时，该方法可不损害有效抑制诱发异常放电这一功能地尽量减少刚成膜后的被处理基板表面上附着的粒子的数量。在真空室(1)内对靶(2)进行溅射并在被处理基板(Sw)的表面上形成电介质膜的本发明的成膜方法，其在靶的溅射时，对靶以脉冲状施加负电位，将脉冲状施加负电位时的频率设置在100kHz以上150kHz以下的范围内，将负电位的施加时间(Ton)设置在长于5μsec且短于8μsec的范围内。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114729443 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080082895.1 (74)专利代理机构北京英特普罗知识产权代理