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本发明公开了一种基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法,每个忆阻器单元包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2;所述编码Cod、忆阻器m和电阻R依次串联,编码Cod另一端连接地址寄存器Cod_address_reg,输入脉冲信号Vs通过地址寄存器Cod_address_reg连接编码Cod;电阻R另一端连接外部脉冲信号Vd;外部脉冲信号Vd与电阻R间还设有接地的MOS管T4;二极管VD1正极连接于忆阻器m和电阻R之间,负极连接电压跟随器的输入端;二极管VD2正极与n位
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114708895 A
(43)申请公布日 2022.07.05
(21)申请号 202210399486.5
(22)申请日 2022.04.15
(71)申请人 山西职业技术学院
地址 03000
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