控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰.pdf

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描述了用于通过减小沟道梯度和到存储器单元的电荷注入来减小存储器设备中的读取干扰的装置和技术。在读取选定NAND串中的存储器单元之前，未选定NAND串的沟道被升压。该升压涉及在漏极侧选择栅极晶体管接通然后关断并且选定字线WLn的非相邻字线的电压信号增大到读取通过电压的同时，将正电压施加到该未选定NAND串的源极端和漏极端。WLn的相邻字线的电压信号：增大到峰值电平以增强沟道导电来更快读取，其中该峰值电平小于该读取通过电压；减小到降低的电平以减小沟道梯度，并且因此减小读取干扰；然后增大到该读取通过电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730606 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202180006669.X (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理