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一种制造半导体‑超导体混合器件的方法,包括:提供包括以下各项的工件:半导体组件、该半导体组件上的第一超导体材料的层、以及第一超导体材料上的第二超导体材料的层,第二超导体材料与第一超导体材料不同;蚀刻第二超导体材料的层以暴露第一超导体材料的部分;以及使第一超导体材料的该部分氧化以在半导体上形成钝化层。第一超导体在半导体与第二超导体之间提供能量耦合,并且钝化层保护半导体,同时允许电进入该半导体。还提供了一种混合器件以及一种蚀刻的方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114788026 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202080084194.1 C ·M ·马库斯 M ·J ·曼弗拉
(22)申请日 202
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