半导体存储器装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体存储器装置及其制造方法.pdf

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本申请提供了半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：由多个狭缝结构分离的多个栅极层叠物，并且每个栅极层叠物包括：第一层叠物，其包括在基本相同的高度处彼此间隔开的三个或更多个第一导电图案；第二层叠物，其形成在第一层叠物上并且包括交替层叠的第二导电图案和层间介电层；以及多个沟道结构，其贯穿第一层叠物至第三层叠物。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759083 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202110510864.8 (22)申请日 2021.05.11 (30)优先权数据