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本发明公开了一种氧化铝/a‑IGZO薄膜晶体管及其制备方法,该制备方法通过空心阴极等离子体放电法电离通入PLD腔体中的氧气,形成氧等离子体浓度较高的沉积环境,在a‑IGZO/SiO2/P+‑Si衬底上通过脉冲激光沉积制备氧化铝钝化层,再通过真空退火进一步优化薄膜性能。随炉冷却至20℃后,结合空心阴极氧等离子体和真空原位退火促使钝化层中的可动氧向a‑IGZO沟道层扩散,显著降低沟道层/钝化层界面的氧空位含量,优化器件的亚阈值摆幅和迁移率,有利于提高器件的栅极电压稳定性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114783881 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210333660.6 C23C 14/08 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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