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一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区；分别位于所述第一区上的第一鳍部、第二区上的第二鳍部以及隔离区上的第三鳍部；横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括：位于所述第一区和部分隔离区上的第一功函数层和位于所述第二区和部分隔离区的第二功函数层，且所述第一功函数层和第二功函数层相接触的界面位于所述第三鳍部的顶部表面。位于所述隔离区上的第三鳍部能够对第一功函数层和第二功函数层之间起到阻挡作用，所述半导体结构的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114765172 A
(43)申请公布日 2022.07.19
(21)申请号 202110056291.6 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日 2021.01
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