三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统.pdf

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本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：在衬底上形成第一堆栈结构；刻蚀第一堆栈结构，形成过渡孔；在过渡孔的侧壁上形成刻蚀保护层；通过过渡孔，刻蚀位于过渡孔底部下方的膜层结构，形成包括过渡孔的第一沟道孔，第一沟道孔贯穿第一堆栈结构，并延伸至衬底内；在第一沟道孔中形成沟道结构，从而，能够避免沟道孔靠近其顶部的局部变形严重，减小了沟道孔的局部尺寸扩张，提高了三维存储器的良率及可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759038 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210402220.1 (22)申请日 2022.04.18 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4