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本发明公开了一种半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法,包括驱动HVIC芯片、高侧驱动模块和低侧驱动模块;驱动HVIC芯片与高侧驱动模块电连接,高侧驱动模块包括三个上桥功率元件,上桥功率元件为RC‑IGBT结构;驱动HVIC芯片与低侧驱动模块电连接,低侧驱动模块包括三个下桥功率元件,下桥功率元件包括IGBT管和续流二极管;上桥功率元件的输入端与驱动HVIC芯片电连接;本申请旨在提供一种半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法,上桥使用RC‑IGBT结构,下桥使用IGBT管和续流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114785160 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210339831.6 H01L 23/31 (2006.01)
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