含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法.pdf

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可以在电极层和选择器材料层上方按顺序形成含难熔金属的蚀刻停止层、钌蚀刻停止层和导电材料层。可以采用一系列各向异性蚀刻工艺以：相对于钌蚀刻停止层具有选择性地蚀刻导电材料层，相对于含难熔金属的蚀刻停止层具有选择性地蚀刻钌蚀刻停止层，并在最小过度蚀刻范围内将含难熔金属的蚀刻停止层蚀刻到电极层中。随后可以在不暴露于蚀刻剂气体的等离子体的情况下对选择器材料层进行各向异性蚀刻，以蚀刻可能包括会损坏选择器材料的含氟等离子体的含难熔金属的蚀刻停止层和导电材料层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114788029 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202080080014.2 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理