一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道；鳍式沟道设于漏电极与第一沟道之间；鳍式沟道的横截面为指向源电极方向的梯形；栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域；在n型氧化镓沟道层与栅介质层之间、鳍式沟道的两侧填充有P型氧化物介质层。本发明能够

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114744046 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210470520.3 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2022.04