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本申请公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法，属于集成电路领域。该屏蔽栅沟槽MOSFET主要包括：衬底片；外延层，其生长在衬底片上；硬掩膜，其通过在外延层上淀积氧化硅形成，并在形成深沟槽后移除；深沟槽，其利用沟槽掩膜版在硬掩膜上刻蚀外延层得到；场介质层，其生长在深沟槽的表面且与述源极多晶硅的表面平齐；源极多晶硅，其填充在深沟槽内的场介质层上；栅极沟槽，其利用有源区掩膜版在场介质层表面刻蚀场介质层得到；栅极氧化硅，其通过在栅极沟槽表面氧化形成；栅极多晶硅，其在栅极沟槽的栅极氧化硅上淀积。本申
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114744034 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210472170.4
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 扬杰科技（无锡）有
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