基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明涉及基于Ⅱ型范德华异质结近红外偏振光电探测器及其制备方法，其包括衬底，位于衬底上的MoTe2纳米片和GeSe纳米片，位于MoTe2纳米片和GeSe纳米片上的第一电极和第二电极，MoTe2纳米片与GeSe纳米片采用微机械剥离法获得，通过PVA干法转移设置部分层叠区域，部分层叠区域通过范德华力相互作用形成异质结，为载流子沟道层。该光电探测器侧重于近红外波段的探测，在室温下实现了自驱动低损耗探测、快的响应速度、偏振灵敏和性能稳定的特点，该制备方法技术成熟、成本低廉、工艺简单，非常有利于商业化推广

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759104 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210316769.9 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人华南师范大学地址 510631