半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，具有一第一区域和在所述第一区域周围的一第二区域；至少一第一鳍状结构，设置在所述第一区域内；至少一第二鳍状结构，设置在所述第二区域内；一第一隔离沟槽，设置在所述第一区域内并邻近所述至少一第一鳍状结构；一第一沟槽隔离层，设置在所述第一隔离沟槽中；一第二隔离沟槽，设置在所述第一区域周围并位于所述至少一第一鳍状结构与所述至少一第二鳍状结构之间，其中所述第二隔离沟槽的底面具有一阶梯落差；以及一第二沟槽隔离层，设置在所述第二隔离沟槽中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765171 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110047083.X (22)申请日 2021.01.14 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台