量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器.pdf

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本申请提供了一种量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器，该方法包括：提供受体基底，受体基底包括依次叠置的第一衬底层、第一Ge缓冲层、GexSi1‑x/Ge多量子阱层、P型Ge层以及交替设置硅化物材料层和第一Al2O3层的谐振腔结构；提供供体基底，供体基底包括依次叠置的第二衬底层以及第二Al2O3层；键合受体基底与供体基底；去除第一衬底层；在第一Ge缓冲层中注入离子形成N型Ge层。该方法中，通过设置谐振腔结构，有利于在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应，进而解决了现有技术中Ge材料光

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759105 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210340026.5 H01L 31/0312 (2006.01)