InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器.pdf

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本发明涉及一种InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器，所述方法包括：将InSb探测器芯片的背面减薄至预设透镜设计厚度，对所述InSb探测器芯片的背面进行表面处理；蚀刻所述InSb探测器芯片的背面形成凹透镜和凸透镜；在所述凹透镜和凸透镜远离所述InSb探测器芯片的一侧设置反射膜形成微透镜阵列，制作效率高，与探测器材料耦合应力小，耦合精度高，且同时设置有凹透镜和凸透镜，使得微透镜阵列整体填充率较高。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114744003 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210532126.8 (22)申请日 2022.05.09 (71)申请人中国电子科技集团公司第十一研究