半导体、电路结构及其相关方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体、电路结构及其相关方法.pdf

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本发明实施例涉及半导体、电路结构及其相关方法。提供一种电路结构。所述电路结构可包含：第一裸片区域，其包含输出门；第二裸片区域，其包含电路及输入门；及裸片间互连件。所述输入门可包含晶体管。所述电路可连接在所述裸片间互连件与所述晶体管的栅极区之间。所述电路可包含PMOS晶体管及NMOS晶体管。所述PMOS晶体管的第一源极/漏极区可连接到所述NMOS晶体管的第一源极/漏极区及所述裸片间互连件。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759016 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210087610.4 H01L 27/092 (2006.01)