半导体结构制作方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体结构制作方法及半导体结构.pdf

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本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决容易损伤第二区域对应的膜层的问题。该半导体结构制作方法包括：在介质层上形成第一扩散膜层，第一扩散膜层的厚度不小于掺杂层的厚度；在第一扩散膜层上形成硬掩膜；向基底蚀刻第一区域和第二区域对应的各膜层，直至暴露出第一区域对应的第一扩散膜层；之后，去除第二区域对应的介质层上残留的第一金属氧化物层；由于掺杂层的存在，第二区域对应的硬掩膜厚度较小，在暴露第一区域的第一扩散膜层时，第二区域对应的第一扩散膜层刚好被除尽或者残留部

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765132 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110033539.7 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230