具有位置控制的冷等离子体发生装置和冷等离子体发生阵列.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.39万字
约 27页
2023-05-16 发布于北京
举报
版权申诉

具有位置控制的冷等离子体发生装置和冷等离子体发生阵列.pdf

1、本文档共27页，其中可免费阅读26页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种冷等离子体装置适于处理生物表面的区域。该装置的一些实施例包括具有电极和介质阻挡层的冷等离子体发生器。该介质阻挡层包括面向电极的第一侧和背离电极的第二侧。致动器和控制器协作，以相对于生物表面选择性地定位冷等离子体发生器。一些实施例包括与基板相关联的冷等离子体发生器阵列。各个冷等离子体发生器具有电极和介质阻挡层。该介质阻挡层具有面向电极的第一侧和背离电极的第二侧。控制器可操作地联接到冷等离子体发生器阵列，并且被编程为控制各个冷等离子体发生器产生等离子体剂量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114788415 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202080086203.0 (74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理